Los paneles de silicio cristalino convencionales colocan líneas de rejilla metálica en la superficie frontal de la celda para recolectar corriente. Esa rejilla bloquea una parte de la luz solar entrante, y cada barra colectora o dedo impreso en el lado del vidrio representa fotones perdidos que nunca llegan al silicio. HPBC 2.0, o tecnología de contacto posterior pasivado por heterounión, mueve toda la estructura del electrodo hacia la parte trasera de la celda. La superficie frontal se convierte en un plano continuo e ininterrumpido que absorbe la luz, mientras que los contactos positivos y negativos están dispuestos en un patrón interdigitado en la parte posterior.
Este no es un cambio cosmético. La eliminación de la metalización frontal elimina las pérdidas de sombreado que normalmente representan una parte mensurable de la producción teórica de un panel. Combinado con una base de silicio tipo N, que ofrece una vida útil más larga de los portadores minoritarios y una menor sensibilidad a las impurezas comunes que las obleas tipo P, el resultado es una arquitectura celular que comienza desde un techo de mayor eficiencia incluso antes de que comience cualquier ingeniería posterior. Para los instaladores y propietarios de activos, el resultado práctico es un módulo que produce más energía por metro cuadrado de espacio en el techo sin requerir matrices más grandes, lo que se traduce directamente en mayores ingresos de por vida a partir del mismo espacio físico.
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